Copyright 2024 Mis à jour le 06/09/2024 Créé par TECHTRONIK
serie: RFP
Transistors divers
Réference: S2000N
Réference: S2000AFI
Réference: ST36NF06
TRANSISTOR NPN
MOSFET DE PUISSANCE CANAL N
TRANSISTOR NPN
NPN
Forme TO-3PIS
Valeurs électriques
Uceo 1500 V
Ic 8 A
Ptot 50 W
N-MOSFET
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 60V
Dissipation de puissance Pd: 70W
21A
Polarité: NPN
Tension: 1500 V
Intensité: 8 A
TRANSISTOR NPN
Réference: BSX20
Réference: S2055N
Réference: S2000AF
TRANSISTOR BIPOLAIRE NPN
TRANSISTOR NPN
NPN
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 15V
Courant de collecteur DC: 500mA
Dissipation de puissance Pd: 360mW
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 700 V
Emitter- Base Voltage VEBO: 9 V
Maximum DC Collector Current: 8 A
Pd - Power Dissipation: 50 W
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 700 V
Emitter- Base Voltage VEBO: 10 V
Maximum DC Collector Current: 8 A
N-Channel
Series: BS107
Transistor Type: 1 N-Channel
Brand: Diodes Incorporated
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 500 V
Id - Continuous Drain Current:
20 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 250 mOhms
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V
Id - Continuous Drain Current: 50 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 22 mOhms
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 600 V
Emitter- Base Voltage VEBO: 7 V
Maximum DC Collector Current: 12 A
Pd - Power Dissipation: 65 W
Réference: 20N50
Réference: ST2310FX
Réference: RFP50N06
Réference: BS107
TRANSISTOR NPN
TRANSISTOR MOSFET CANAL N
TRANSISTOR MOSFET CANAL N
TRANSISTOR MOSFET CANAL N
serie:IR
Réference: RFP70N06
Réference: IRG4PC50D
Réference: IRG4PC40
TRANSISTOR MOSFET CANAL N
TRANSISTOR IGBT
TRANSISTOR IGBT
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V
Id - Continuous Drain Current: 70 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 14 mOhms
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.32 V
Maximum Gate Emitter Voltage: 20 V
Continuous Collector Current at 25 C: 60 A
Pd - Power Dissipation: 160 W
N 600V.
Courant de collecteur maxi:
55A.
Puissance: 200W.
+ Diode
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 75 V
Id - Continuous Drain Current: 170 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 3.3 mOhms
TRANSISTOR MOSFET CANAL N
Réference: IRFB3207
Transistors
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Réference: IRL2203
Réference: IRFZ44N
TRANSISTOR MOSFET CANAL N
TRANSISTOR MOSFET CANAL N
MOSFET MOSFT
30V 100A 7mOhm
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 55 V
Id - Continuous Drain Current: 49 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 17.5 mOhms
serie: 20N & 10N
serie:BS
serie: S
TRANSISTOR MOSFET CANAL N
Réference: 10N60
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 600 V
Id - Continuous Drain Current:
7.5 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 560 mOhms